HỆ MẠ VÀNG AURUNA 8100 (Hợp kim Au/Coban)

Điện phân tốc độ cao cho lớp mạ vàng cứng 

AURUNA® 8100 được sử dụng để mạ lớp vàng cứng trong các thiết bị tốc độ cao chuyên dụng. Điện phân tốc độ cao, yếu axit này có phạm vi hoạt động rộng, dễ bảo trì bể và tốc độ mạ cực kỳ nhanh.

AURUNA® 8100 được phát triển đặc biệt cho mạ vàng tự động tốc độ cao trong thiết bị mạ chọn lọc và dây chuyền mạ cuộn liên tục. Nhờ việc khuấy mạnh điện phân (dòng chảy, phun), điện phân này cho phép hoạt động ở mật độ dòng cao với độ ổn định lâu dài. Nó cũng có thể được vận hành như điện phân mạ vàng nền.

Lớp mạ có khả năng hàn, ít lỗ rỗng, siêu sáng, cứng và chịu mài mòn. Chúng duy trì điện trở tiếp xúc thấp ổn định, do đó điện phân này rất phù hợp cho mạ vàng các linh kiện điện tử như đầu nối, tiếp điểm và đầu nối trên bảng mạch in.

Sử dụng tùy chọn AURUNA® Inhibitor 2 cho phép tiết kiệm tới 15% lượng vàng tiêu thụ. Chất ức chế này giúp tạo đường biên sắc nét, giảm diện tích chảy tràn. Các tính chất của lớp mạ vẫn được duy trì không thay đổi. Chất ức chế có thể được loại bỏ hoàn toàn sau khi mạ bằng cách rửa sạch với than hoạt tính.

Ưu điểm

- Điện phân tốc độ cao, yếu axit

- Phạm vi hoạt động rộng

- Tốc độ mạ cực kỳ nhanh

- Lớp mạ ít lỗ rỗng, có thể hàn, cứng và chống mài mòn

- Dành cho tiếp điểm điện

- Phân loại theo tiêu chuẩn ASTM B-488-01 Type I-II, Code C-D

- Lớp mạ tuân thủ RoHS

- Sử dụng cho thiết bị tốc độ cao

- Tiết kiệm vàng tới 15% khi sử dụng chất ức chế

Ứng dụng

- Đầu nối

- Tiếp điểm điện

- Đầu nối trên bảng mạch in